为更好发挥大湾区科学论坛秘书处高端交流平台作用，引导优质创新要素向大湾区聚集，激发科技创新活力，12月18日下午，大湾区科学论坛秘书处举办第七期灵山科学大讲堂，中国科学院物理所研究员陈小龙受邀围绕宽禁带半导体碳化硅材料研究进展和产业化进行主旨分享。

本次活动由大湾区科学论坛秘书处主办，广东省产学研促进科学技术有限公司承办。来自科研院所和科技企业的众多代表参与现场活动，活动由大湾区科学论坛执行秘书长聂晓伟主持。

在主旨分享中，陈小龙研究员表示，碳化硅作为第三代半导体材料，相比同类硅基器件，碳化硅器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、体积小和重量轻等优点。随后，陈小龙研究员围绕碳化硅研发的历程以及碳化硅的三种生长技术——物理气相传输法、高温化学气相沉积法以及液相法的基本原理和关键科学与技术原理进行讲解。他指出，碳化硅器件在未来的产业应用及市场十分宽广，碳化硅器件作为重要元件将在电动汽车、5G通讯、轨道交通、光伏电力传输等领域发挥重要作用。陈小龙研究员所在的科研团队历时近20年攻关，从基础研究到应用转化，形成了具有自主知识产权的技术路线的碳化硅晶体生长和加工技术。深耕碳化硅技术产业及其应用具有很大的发展前景。

交流问答环节，参会嘉宾围绕碳化硅材料及其产业化技术积极提问，与陈小龙研究员进一步探讨国内碳化硅生产链整体发展情况以及大湾区碳化硅半导体行业投融资前景。此次活动在嘉宾的踊跃提问中顺利结束。